三一技术装备:干法电极工艺中,粘结剂的最佳选择PTFE
干法电极工艺粘结剂原理 以粘结剂纤维化方法的干法电极工艺中,目前最佳的粘结剂选择是聚四氟乙烯 (PTFE)。其实,聚四氟乙烯 (PTFE) 是一种半结晶聚合物,其化学结构示意图及化学式–(CF2)n–如下图所示。聚四氟乙烯相对分子质量较大,低的为数十万,高的达一千万以上,一般为数百万。一般结晶度为90~95%,熔融温度为327~342℃。
干法电极工艺粘结剂原理
以粘结剂纤维化方法的干法电极工艺中,目前最佳的粘结剂选择是聚四氟乙烯 (PTFE)。其实,聚四氟乙烯 (PTFE) 是一种半结晶聚合物,其化学结构示意图及化学式–(CF2)n–如下图所示。聚四氟乙烯相对分子质量较大,低的为数十万,高的达一千万以上,一般为数百万。一般结晶度为90~95%,熔融温度为327~342℃。
PTFE化学结构式
聚四氟乙烯分子中CF2单元按锯齿形状排列,由于氟原子半径较氢稍大,所以相邻的CF2单元不能完全按反式交叉取向,而是形成一个螺旋状的扭曲链,氟原子几乎覆盖了整个高分子链的表面。这种分子结构可以解释聚四氟乙烯的各种性能,PTFE表现出复杂的晶体结构相行为,如图所示,包括四种具有局部或长程有序的相:I(伪六方晶相)、II(三斜晶相)、III、IV(六方晶相)。在大气压下观察到三种晶体结构(II相,IV相和I相),温度低于19℃时,PTFE链形成13/6螺旋(三斜晶体II 相);在19℃发生相变,分子稍微解开,三斜晶体II 相转变为六方晶体IV相,形成15/7螺旋;而30℃时,六方晶体IV 相转变为伪六方晶体I相。
PTFE相图:不同压力和温度下的多种晶体结构
PTFE纤维化原理
PTFE分子中F原子对称,C-F中两种元素共价相结合,分子中没有游离的电子,整个分子呈中性。使PTFE具有优良的介电性能。由于PTFE分子外有一层惰性的含氟外壳,使它具有突出的不粘性能与低的摩擦系数。PTFE的IV相单个聚合物链的螺旋结构、PTFE链的圆柱简化模型以及对应的IV相六方晶胞结构如图7所示。单个分子链呈螺旋构象,其中15 个CF2单元围绕分子轴(7/15构象)以7个完整的旋转排列。沿分子轴的重复距离为1.95nm,相邻分子链之间的距离为0.566nm。
PTFE的IV相单个聚合物链的螺旋结构以及PTFE链的圆柱简化模型,聚四氟乙烯的IV相六方晶胞结构
聚合物晶体的变形源于晶体学位错,晶体中的聚合物结构对滑移平面的选择具有限制。由于滑动不会导致链断裂,因此只能沿着平行于聚合物链的平面滑动,主要模式是链滑和横向滑移:前者是由于沿链轴方向滑动,后者是垂直于轴方向的滑动。对于PTFE,六方晶体相邻链间的内聚力低,沿链轴(六边形系统的c轴)滑动会更容易。因此,当对PTFE晶体施加剪切载荷时,沿c轴发生晶体滑移,PTFE晶体的形状会发生变化,能够形成高长径比的纳米纤维结构,如下图所示。
PTFE晶体剪切作用下的滑移变形的示意图
堆积的大分子链沿c轴的相互滑动会扭曲单晶的形状,XRD是表征晶体结构的最常用方法之一,因此,我们可以通过XRD表征来追踪不可逆的PTFE纤维化晶体变形过程。下图(a)显示了乳液PTFE材料的XRD图谱和对应的XRD峰的晶体平面。假设PTFE单晶以上图所示的方式变形。在变形之后,由棱柱晶格平面({100}、{110}、{210}和{310})引起的衍射峰是保持不变的,而金字塔晶格平面({107}、{108}、{117}和{10.15})的结构规律会变化,在衍射峰中,107和108峰比其他峰强得多。这两个衍射峰强度的变化可以用于评估PTFE晶体的变形程度。
(a)聚合聚四氟乙烯材料的XRD图 (b)XRD反射峰的晶体平面
PTFE干法电极工艺存在的问题
PTFE干法电极工艺过程是将活性材料与导电添加剂(例如炭黑)和PTFE混合,再在剪切力作用下使PTFE发生纤维化。原纤维直径只有几纳米,长度几十微米,通过形成三维网状结构使活性材料和炭黑的聚合在一起。在随后的步骤中,将这种混合物压在两个辊之间,形成数百微米厚的薄膜。该薄膜在进一步的轧制中达到所需的目标厚度和孔隙率。目前存在的主要问题有:
(1)在活性材料颗粒基体中,干混并均匀分散导电剂和粘结剂非常关键。一方面,必须实现混合物中PTFE原纤维的均匀分布。同时,又必须避免损坏活性材料颗粒。
(2)干混合物具有结块倾向,混合物不能在容器中储存太长的时间。同样,粉末进料或配料方面也有挑战,一旦在进料或计量装置中对干混合物施加新的剪切力,结果就会增加形成团聚物,这会导致工艺条件不稳定。
(3)为了可加工为自支撑薄膜,干膜必须具有一定的机械抗拉强度。如果粘结剂无法达到这种拉伸强度,例如由于粘结剂含量非常低,或者由于混合物不均匀性而出现缺陷,则薄膜开裂的风险非常高,特别是对于低于100μm的薄膜,越宽、生产越快的薄膜,相应的工艺步骤和干膜质量就越不稳定。
(4)PTFE在低电位下不稳定,会与锂发生不可逆反应,因此应用于负极时会锂化消耗活性锂,降低黏附效果。如图10所示,每克PTFE将消耗1070mAh的锂, PTFE锂化的电压平台为0.7~1 V,并且电极中PTFE含量越多,电压平台区域越长,第二次放电曲线中,平台消失,因此反应不可逆。具体反应式为:
不同含量的PTFE/C混合物锂化曲线
干法电极技术核心在于粉末混合过程中实现黏结剂的纤维化,以形成自支撑的干态电极膜。目前的最佳选择——黏结剂 PTFE仍存在以上4个问题,需对其进行改性或者开发可替代的黏结剂,以提高在低电位下的电化学稳定性。
(本文来自三一技术装备有限公司)
期待你的精彩评论